SINTEGRAL
CO. LTD

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SILIZIUM
MAGNESIUM
KUPFER
ALUMINIUM
ERDÖLPRODUKTE
  Silizium Metall ist in der Metallurgie, Organische Chemie und Halbleiterherstellung verwendet

  Silizium Metallurgische                         Spezification

Markе

553

441

3303

2202

1501

Chemische Zusammensetzung %

Si

98.5

99.0

99.0

99.0

99.2
Fe

0.5

0.4

0.3

0.2

0.15

Al

0.5

0.4

0.3

0.2

0.10

Ca

0.3

0.1

0.03

0.02

0.01

P

0.007

0.007

0.006

0.006

0.005













 Größe: 10 - 100 mm, 90% Minimum, oder bei Wahl des Kunden
 Wir produzieren jede Art der Bestellung des Kunden

   

  Silizium Chemie                              Spezifikation

Marke

421

35091

3505

2102

Chemische Zusammensetzung %

Si

99.0

99.0

99.0

99.2

Fe

0.4

0.35

0.3

0.35

Al

0.2

0.05 - 0.09

0.5

0.10

Ca

0.1

0.01

0.05

0.02

P

0.007

0.006

0.006

0.005

 










 Größe: 5 - 50 mm. / 10 - 100 mm, 90% Minimum, oder bei Wahl des Kunden
 Wir produzieren jede Art der Bestellung des Kunden

  


Verpackung: Propylensäcke Big - Bag, 1000 kg.  Bags by machen Si markiert.  Container: 20 - 22 - 24 Tonnen
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Polysilizium


Polysilizium wird in der Elektronik als Grundelement für die Herstellung von Halbleitern verwendet

Herstellung Methode: Siemens verfahren, Trichlorsilane (TCS, SiHCl3)

Solar Graduierung 7N - 8N (Typ - Р)

 Elektronisch Graduierung 9N - 11N (Typ - N)

Widerstand: 1000 Ohm / cm.
Größe: 0 - 15 / 5 - 45 / 20 - 65 / 20 - 150 mm.
Verpackung: Polyethylen Box 10 kg.
In Kartons Box von 30 kg.
Palette: 600 kg.
Widerstand: 3000 Ohm / cm.
Größe: 5 - 45 / 20 - 65 / 20 - 150 mm.
Verpackung: Polyethylen Box 5 kg.
In Kartons Box von 30 kg.
Palette: 750 kg.
 



Multikristalline Silizium

Herstellung Methode: DSS

                                         Solar Graduierung 6N - 7N (Typ - Р)

Widerstand: 0.5 - 3.0 / 0.3 - 6.0 Ohm / cm.
Ingot:
850
х 850 х 240 mm.
Gewicht: 410 ± 1 kg.
Verpackung: In Holz Box425 kg.
Palette: 850 kg.
Solar Wafer: 156 x 156 mm.  
Solar Zelle:   156 x 156 mm.

       


Monokristalline Silizium
 
Herstellung Methode: CZ; FZ

Solar Graduierung 7N - 8N (Typ - Р)

Elektronisch Graduierung 9N - 11N (Typ - N)

Widerstand: 0.5 - 3.0 / 0.3 - 6.0 Ohm / cm.
Ingot:
152 - 182 - 205 mm.
Verpackung: In Kartons Box 60 - 80 kg.
Palette: 800 - 900 kg.
Widerstand: 0.05 - 3000 Ohm / cm.
Ingot: 100 - 150 - 200 - 250 - 300 mm.
Verpackung: In Kartons Box 40 - 90 kg.
Palette: 800 - 900 kg.
Solar Wafer: 125 х 125 mm. / 156 x 156 mm.
Solar Zelle:   125 х 125 mm. / 156 x 156 mm.
Elektronisch Wafer: 100 - 200 - 300 mm.
Integral Zelle:          100 - 200 - 300 mm.